英特爾預估，現有記憶體技術四年後面臨瓶頸，如何突破成了半導體業界共同的挑戰，旺宏電子布局五年，近期在國際研討會嶄露頭角……
運動史上有名的「貝蒙障礙」，是指美國跳遠選手貝蒙（Robert Beamon）於一九六八年墨西哥奧運，跳出八公尺九○的世界紀錄後，這紀錄保持二十多年，始終無人能夠超越。此後，人們便以「貝蒙障礙」形容極難超越的關卡瓶頸。
半導體記憶體技術的發展，也正面臨著「貝蒙障礙」。
隨著製程技術一代代發展，晶片上電路線寬越來越微細，英特爾（Intel）早已預估，到了四五奈米時，因浮動閘（floating gate）的微縮技術已達物理極限，很難再繼續縮小。發明NOR快閃記憶體的英特爾曾預估，現有技術大約可延續至二○一○年左右，屆時將遇上撞牆期。
